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半导体工艺对于CMP（Chemical Mechanical Polishing）技术的依赖主要来自于器件加工尺寸的不断微细化而出现的多层布线和一些新型介质材料的引入，特别是进入250 nm节点以后的Al布线和进入130 nm节点以后的Cu布线之后，CMP工艺的重要性便日显突出。130 nm节点的多层金属互连为7-8层，90 nm节点的多层金属互连为8～9层，金属互连的金属层间介质的增加，必然导致晶片表面严重的不平整，以致无法满足图形曝光的焦深要求，为解决这一矛盾和提高芯片的成品率，要求晶圆表面必须平整、光滑和洁净，CMP工艺便是目前最有效、最成熟的平坦化技术。CMP技术兼其有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以便后续薄膜沉积的进行。
目前，CMP技术已经发展成以化学机械抛光机为主体，集在线检测、终点检测、清洗、甩干等技术于一体的化学机械平坦化技术，是集成电路向微细化、多层化、薄型化、平坦化工艺发展的产物，是硅圆片由200 mm向300 mm乃至更大直径过渡、提高生产率、降低制造成本、衬底全局平坦化所必需的工艺技术。随着器件特征尺寸的缩小，工艺容差范围相应缩小，对CMP技术要求也越来越高，主要发展趋势包括固定研磨IC工艺精密平坦化技术、电化学机械淀积、无研磨剂抛光平坦化技术等。
该项目可为英特尔在连项目配套，随着英特尔项目2009年底的投产，该项目将具有更广阔的市场前景。根据《外商投资产业指导目录》，该项目属于鼓励类外商投资项目，投资总额1亿美元以下，由大连市审批。项目建议选址金州三十里堡临港工业区，园区规划总面积30平方公里,一期开发面积17.6平方公里，功能定位于重点发展机械装备制造、电子信息等产业。
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